MOS，是MOSFET的縮寫。全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。MOS管最基本且常用的功能是通過對G級施加電壓以控制S與D之間的開啟與關(guān)閉，常用作電子開關(guān)。

江蘇粵科檢測是專業(yè)第三方電子元器件檢測機構(gòu)，實驗室具備二極管、三極管、MOS管等分立器件檢測資質(zhì)和檢測能力，可提供MOS管電特性參數(shù)測試、AEC-Q101認(rèn)證、二次篩選等檢測認(rèn)證服務(wù)。

MOS管的主要特點

1、柵壓輸入阻抗高，MOS管柵極有絕緣膜氧化物，但柵極容易被靜電、高壓擊穿，造成不可逆的損壞。

2、導(dǎo)通電阻低，可以做到毫歐級，低損耗。

3、開關(guān)速度快，開關(guān)損耗低。

MOS主要電參數(shù)特性

據(jù)MOS的特點，在MOS的使用當(dāng)中最常關(guān)注的電特性參數(shù)有以下方面：

1. BVDSS（源漏擊穿電壓）：用于評估DS之間的耐壓情況。對于大功率MOS，DS之間的耐壓通常要求至千伏級別，在使用PROBE進行晶圓級測試時，通常需采用絕緣氟油保護，防止芯片表面發(fā)生空氣擊穿而造成破壞。

2. IDSS（源漏泄漏電流）：DS溝道關(guān)閉時的泄漏電流，MOS在非工作狀態(tài)下的DS損耗，通常為uA級別。

3. IGSS（柵極泄漏流）：在一定柵壓下流過柵極的泄漏電流。

4. Vth（開啟電壓）：能使漏極開始有電流時的柵極電壓。

5. RDS（on）（導(dǎo)通電阻）：DS之間的導(dǎo)通電阻，與MOS在開啟時的傳輸損耗有關(guān)，RDS（on）越大，MOS的損耗越高。RDS（on）通常為mΩ級別，在使用PROBE進行晶圓測試時，在DS之間使用四線法搭載測試環(huán)境，以消除金屬探針自身電阻的影響。對于大功率MOS的測試，采用高功率探針，瞬時電流能夠達到百安級。

6. VSD（漏源間體內(nèi)反并聯(lián)二極管正向壓降）：一般用于導(dǎo)通電感負(fù)載傳來的反向電流。

7. Ciss（輸入電容）：Ciss是由柵漏電容Cgd和柵源電容Cgs并聯(lián)而成。驅(qū)動電路和Ciss對器件的開啟和關(guān)斷延時有著直接的影響。

8. Coss（輸出電容）：Coss是由漏源電容Cds和柵漏電容Cgd并聯(lián)而成，它可能引起電路的諧振。

9. Crss（反向傳輸電容）：反向傳輸電容等同于柵漏電容Cgd，也叫做米勒電容，對于開關(guān)的上升和下降時間來說是其中一個重要的參數(shù)，影響關(guān)斷延時時間。MOS管的電容隨著漏源電壓的增加而減小，尤其是輸出電容和反向傳輸電容。

10. Qgs、Qgd、Qg：柵電荷：柵極電荷值反應(yīng)存儲在端子間電容上的電荷。開關(guān)的瞬間，柵極儲存電荷隨電壓的變化而變化，設(shè)計柵驅(qū)動電路時經(jīng)常要考慮柵電荷的影響。

11. 輸出特性曲線：在不同的VGS下，流過漏極的電流與漏源間施加電壓之間的關(guān)系ID-VDS。

12. 轉(zhuǎn)移特性曲線：在一定的VDS下，MOS管飽和區(qū)的漏極電流與柵源電壓之間的關(guān)系（ID-VGS）。

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